Mo掺杂4H-SiC的磁性和光学性能的第一性原理研究OA北大核心
First-principles study on magnetic and optical properties of Mo-doped 4H-SiC
基于第一性原理密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)的平面波赝势法(PBE),计算了 4H-SiC的本征体系、过渡金属元素Mo单掺杂4H-SiC体系的电子结构、磁性和光学特性.结果表明:Mo捧杂将导致4H-SiC由本征非磁性变为p型磁性半导体材料,其带隙值由2.88 eV变为0.55 eV.当Mo掺杂浓度为1.359 ×1021 cm-3时,磁矩为0.98 μB,这表明掺Mo后的4H-SiC材料可以作为自旋电子元器件的备选材料.此外,Mo…查看全部>>
The electronic structures,magnetic and optical properties of the intrinsic and Mo-doped 4H-SiC have been systematically investigated by using density functional theory,which is based on first principles generalized gradient approximation(GGA)plane wave and plane wave pseudo-potential method(PBE).The results show that undoped 4H-SiC is an indirect band gap nonmagnetic semiconductor with the band gap value of 2.88 eV.However,Mo-doped 4H-SiC is a p-type magneti…查看全部>>
郭瑞贤;苏晋阳;刘淑平
太原科技大学应用科学学院,太原030024太原科技大学应用科学学院,太原030024太原科技大学应用科学学院,太原030024
数理科学
第一性原理4H-SiC掺杂电子结构磁学性质光学特性
First principles calculationDoping in 4H-SiCElectronic structuresMagnetic propertiesOptical properties
《原子与分子物理学报》 2021 (1)
137-144,8
宽禁带半导体材料山西省重点实验室开放基金(201712)
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