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Passive Model-locking of 1.5μm InGaAsP Quantum Well Lasers

孙洪波

高技术通讯:英文版Issue(2):P.34-37,4.
高技术通讯:英文版Issue(2):P.34-37,4.

Passive Model-locking of 1.5μm InGaAsP Quantum Well Lasers

孙洪波1

作者信息

  • 1. State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics,Jilin University Region,Changchun 130023,P.R.China
  • 折叠

摘要

关键词

Quantum well laser diodes/Passive mode-locking

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

孙洪波..Passive Model-locking of 1.5μm InGaAsP Quantum Well Lasers[J].高技术通讯:英文版,1996,(2):P.34-37,4.

基金项目

the High Technology Research and Development Programme of china ()

高技术通讯:英文版

OAEI

1006-6748

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