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Si中S深能级的进一步研究

刘磁辉 陈建新 赵学恕 孙璟兰 李名复

中国科学院研究生院学报Issue(2):P.52-57,6.
中国科学院研究生院学报Issue(2):P.52-57,6.

Si中S深能级的进一步研究

刘磁辉 1陈建新 2赵学恕 3孙璟兰 4李名复5

作者信息

  • 1. 中国科技大学物理系
  • 2. 北京工业大学无线电系
  • 3. 中国科学院半导体所
  • 4. 科大研究生院物理教学部
  • 折叠

摘要

关键词

深能级/Si/俘获截面/扩散炉/瞬态/物理参数/样品架/光电导/峰高/低温系统

分类

社会科学

引用本文复制引用

刘磁辉,陈建新,赵学恕,孙璟兰,李名复..Si中S深能级的进一步研究[J].中国科学院研究生院学报,1989,(2):P.52-57,6.

基金项目

中国科学院科学基金资助课题 ()

中国科学院研究生院学报

1002-1175

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