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宽带半导体InGaN的生长及特性

师庆华

液晶与显示Issue(3)：P.35-38,4.
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液晶与显示Issue(3)：P.35-38,4.

宽带半导体InGaN的生长及特性

师庆华1

作者信息

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摘要

关键词

纤锌矿结构/发光器件/InGaN/发光二极管/激光二极管/晶格失配/晶格常数/无辐射复合/外延层/单晶结构

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

师庆华..宽带半导体InGaN的生长及特性[J].液晶与显示,1991,(3):P.35-38,4.

液晶与显示

1007-2780

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