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用分子束外延在Si(100)衬底上生长CdTe和HgCdTe

高凯平

液晶与显示Issue(4)：P.33-36,4.

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液晶与显示Issue(4)：P.33-36,4.

用分子束外延在Si(100)衬底上生长CdTe和HgCdTe

高凯平¹

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摘要

关键词

HgCdTe Si 光致发光光谱扫描电子显微镜分子束外延外延层顶端生长红外探测器中间层扫描电镜照片

分类

信息技术与安全科学

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高凯平..用分子束外延在Si(100)衬底上生长CdTe和HgCdTe[J].液晶与显示,1990,(4):P.33-36,4.

液晶与显示

ISSN：1007-2780

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