北京师范大学学报：自然科学版Issue(2)：P.57-62,6.
用背散射方法研究砷离子注入单晶硅的分布和热退火后的再分布
王大椿 1朱光华 1卢殿通 2卢志恒 1郑胜男 1赵玉华2
作者信息
- 1. 北京师范大学低能核物理所
- 2. 中国科学院原子能研究所
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摘要
关键词
背散射分析/施主杂质/投影射程/注入能量/半导体材料/浓度分布/退火温度/峰值浓度/离子注入/退火条件分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王大椿,朱光华,卢殿通,卢志恒,郑胜男,赵玉华..用背散射方法研究砷离子注入单晶硅的分布和热退火后的再分布[J].北京师范大学学报：自然科学版,1983,(2):P.57-62,6.
