北京师范大学学报：自然科学版Issue(3)：P.44-53,10.
离子注入多晶Si浅结工艺在双极集成电路中的应用
来永春 1王大椿 1张通和 2罗晏 3沈京华 4林振金 1谢葆珍 1刘有宝 2卢英华 3边江4
作者信息
- 1. 北京师范大学低能核物理研究所
- 2. 北京师范大学物理系
- 3. 中国科学院高能核物理研究所
- 4. 航天工业部七七一所
- 折叠
摘要
关键词
界面氧化层/浅结工艺/Si/双极集成电路/晶粒大小/背散射分析/光衍射/霍尔效应/离子注入/双极晶体管分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
来永春,王大椿,张通和,罗晏,沈京华,林振金,谢葆珍,刘有宝,卢英华,边江..离子注入多晶Si浅结工艺在双极集成电路中的应用[J].北京师范大学学报：自然科学版,1986,(3):P.44-53,10.
