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离子注入重掺N的GaP中过带隙发光谱OACSCD

中文摘要

为了取得蓝色发光材料,我们研究了GaP-GaN固溶体.在GaP外延片的衬底上进行了离子注入重掺N,获得了不同于GaP结构的晶体.X射线衍射花样表明,注N~+的GaP结构变成纤锌矿格子,这恰似GaN的结构.通过快速退火,进行了光致发光测量,无论退火前和后都得到了过带隙的发光.

冯建东;林振金;杨锡震;刘玉梁;王世润;田德恒

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信息技术与安全科学

光致发光离子注入X射线衍射快速退火

《北京师范大学学报:自然科学版》 1988 (2)

P.47-50,4

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