离子注入重掺N的GaP中过带隙发光谱OACSCD
为了取得蓝色发光材料,我们研究了GaP-GaN固溶体.在GaP外延片的衬底上进行了离子注入重掺N,获得了不同于GaP结构的晶体.X射线衍射花样表明,注N~+的GaP结构变成纤锌矿格子,这恰似GaN的结构.通过快速退火,进行了光致发光测量,无论退火前和后都得到了过带隙的发光.
冯建东;林振金;杨锡震;刘玉梁;王世润;田德恒
北京师范大学物理系北京师范大学物理系山西省教育学院物理系北京师范大学物理系北京师范大学物理系山西省教育学院物理系
信息技术与安全科学
光致发光离子注入X射线衍射快速退火
《北京师范大学学报：自然科学版》 1988 (2)
P.47-50,4
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