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硅表面热氧化缺陷的产生及增长

彭少麒

中山大学学报:自然科学版Issue(4):P.18-23,6.
中山大学学报:自然科学版Issue(4):P.18-23,6.

硅表面热氧化缺陷的产生及增长

彭少麒1

作者信息

  • 1. 中山大学物理学系
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摘要

关键词

表面缺陷/偏位错/层错/负偏压/抛光处理/硅表面/热氧化/表面固定电荷密度

分类

社会科学

引用本文复制引用

彭少麒..硅表面热氧化缺陷的产生及增长[J].中山大学学报:自然科学版,1979,(4):P.18-23,6.

中山大学学报:自然科学版

0529-6579

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