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中山大学学报:自然科学版
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硅表面热氧化缺陷的产生及增长
硅表面热氧化缺陷的产生及增长
彭少麒
中山大学学报:自然科学版
Issue(4):P.18-23,6.
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中山大学学报:自然科学版
Issue(4)
:P.18-23,6.
硅表面热氧化缺陷的产生及增长
彭少麒
1
作者信息
1.
中山大学物理学系
折叠
摘要
关键词
表面缺陷
/
偏位错
/
层错
/
负偏压
/
抛光处理
/
硅表面
/
热氧化
/
表面固定电荷密度
分类
社会科学
引用本文
复制引用
彭少麒..硅表面热氧化缺陷的产生及增长[J].中山大学学报:自然科学版,1979,(4):P.18-23,6.
中山大学学报:自然科学版
ISSN:
0529-6579
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