辐射防护2020，Vol.40Issue(6)：663-670,8.
金属氧化物半导体场效应晶体管中总剂量效应导致的阈值电压漂移研究现状
A review of total ionizing dose (TID) induced shift of threshold voltage of MOSFETs
刘一宁 1王任泽 1杨亚鹏 1王宁 1冯宗洋 1贾林胜 1张建岗 1李国强1
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摘要
关键词
总剂量效应(TID)/阈值电压漂移/金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)/TCAD分类
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刘一宁,王任泽,杨亚鹏,王宁,冯宗洋,贾林胜,张建岗,李国强..金属氧化物半导体场效应晶体管中总剂量效应导致的阈值电压漂移研究现状[J].辐射防护,2020,40(6):663-670,8.
