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直拉硅单晶非均匀相变温度场最优控制

张晶 刘丁 杜燕军

控制理论与应用2021,Vol.38Issue(1):44-52,9.
控制理论与应用2021,Vol.38Issue(1):44-52,9.DOI:10.7641/CTA.2020.00040

直拉硅单晶非均匀相变温度场最优控制

Optimal control for heterogeneous phase transition temperature field of Czochralski monocrystalline silicon

张晶 1刘丁 1杜燕军1

作者信息

  • 1. 西安理工大学晶体生长设备及系统集成国家地方联合工程中心,陕西西安710048
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摘要

关键词

直拉硅单晶/相变温度场/生长直径/抛物型PDE/分布参数系统

引用本文复制引用

张晶,刘丁,杜燕军..直拉硅单晶非均匀相变温度场最优控制[J].控制理论与应用,2021,38(1):44-52,9.

基金项目

国家自然科学基金项目(61533014),陕西省自然科学基金(2019JQ-734)资助. (61533014)

控制理论与应用

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-8152

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