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二维原子层谷电子学材料和器件

孙真昊管鸿明付雷沈波唐宁

物理学报2021，Vol.70Issue(2)：149-161,13.

物理学报2021，Vol.70Issue(2)：149-161,13.DOI:10.7498/aps.70.20201415

二维原子层谷电子学材料和器件

Valleytronic properties and devices based on two-dimensional atomic layer materials

孙真昊 ¹管鸿明 ¹付雷 ¹沈波 ¹唐宁¹

作者信息

1. 北京大学物理学院, 人工微结构与介观物理国家重点实验室, 北京 100871
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摘要

关键词

二维过渡金属硫属化合物/谷电子学

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孙真昊,管鸿明,付雷,沈波,唐宁..二维原子层谷电子学材料和器件[J].物理学报,2021,70(2):149-161,13.

基金项目

国家重点研发计划(2016YFB0400802,2018YFB0406603,2018YFE0125700)和国家自然科学基金(批准号:61574006,61927806,61521004,11634002)资助的课题. （2016YFB0400802,2018YFB0406603,2018YFE0125700）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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