现代电子技术2021，Vol.44Issue(3)：162-166,5.DOI:10.16652/j.issn.1004-373x.2021.03.034
CMUT面阵制备中的硅通孔金属互连工艺设计
Design of through silicon via metallization interconnection process in preparation of CMUT planar array
摘要
关键词
CMUT面阵/上电极引线/TSV技术/深硅刻蚀/磁控溅射/金属互连分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王月,何常德,张文栋..CMUT面阵制备中的硅通孔金属互连工艺设计[J].现代电子技术,2021,44(3):162-166,5.基金项目
国家重点研发计划:基于MEMS技术的阵列式微型声压传感器研制(2018YFF01010500) （2018YFF01010500）
国家杰出青年科学基金:微纳米传感器原理与集成(6142500192) （6142500192）
