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LDMOS器件性能研究与综述

赵婉婉 廖婉奇

科技创新与应用Issue(9)：164-166,3.
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科技创新与应用Issue(9)：164-166,3.

LDMOS器件性能研究与综述

赵婉婉 1廖婉奇1

作者信息

  • 1. 上海电力大学,上海 200090
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摘要

关键词

LDMOS/比导通电阻/击穿电压

分类

信息技术与安全科学

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赵婉婉,廖婉奇..LDMOS器件性能研究与综述[J].科技创新与应用,2021,(9):164-166,3.

科技创新与应用

2095-2945

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