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六方氮化硼单层中一种(CN)3VB缺陷的第一性原理计算

孙志海黄强张颖黄鹏儒植慧茵邹勇进徐芬孙立贤

物理学报2021，Vol.70Issue(3)：78-90,13.

物理学报2021，Vol.70Issue(3)：78-90,13.DOI:10.7498/aps.70.20201364

六方氮化硼单层中一种(CN)3VB缺陷的第一性原理计算

First-principle calculation study of (CN)3VB defect in hexagonal boron nitride monolayer

孙志海 ¹黄强 ¹张颖 ¹黄鹏儒 ¹植慧茵 ²邹勇进 ¹徐芬 ¹孙立贤¹

作者信息

1. 桂林电子科技大学材料科学与工程学院, 广西信息材料重点实验室, 广西新能源材料结构与性能协同创新中心, 桂林 541004
2. 广西师范大学物理科学与技术学院, 桂林 541004
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摘要

关键词

六方氮化硼/碳掺杂/电子结构/单光子发射

引用本文复制引用

孙志海,黄强,张颖,黄鹏儒,植慧茵,邹勇进,徐芬,孙立贤..六方氮化硼单层中一种(CN)3VB缺陷的第一性原理计算[J].物理学报,2021,70(3):78-90,13.

基金项目

国家重点研发计划(批准号:2018YFB1502103, 2018YFB1502105)、国家自然科学基金(批准号:51801041, 551671062, 5187011196, 51971068)、广西自然科学基金(批准号: 2017JJB150085)和广西科技计划(批准号: 2018AD19052, AA19182014, AD17195073, AA17202030-1)资助的课题. （批准号:2018YFB1502103, 2018YFB1502105）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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