六方氮化硼单层中一种(CN)3VB缺陷的第一性原理计算OA北大核心CSCDCSTPCD
First-principle calculation study of (CN)3VB defect in hexagonal boron nitride monolayer
二维六方氮化硼(hBN)的点缺陷最近被发现可以实现室温下的单光子发射,而成为近年的研究热点.尽管其具有重要的基础和应用研究意义,hBN中发光缺陷的原子结构起源仍然存在争议.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究hBN单层中一种B空位附近3个N原子被C替代的缺陷(CN)3VB.在hBN的B空位处,3个N原子各自带一个在平面内的悬挂键及相应的未配对电子,而通过C替换可以消除未配对的电子.系统研究了(CN)3VB缺陷的几何结构、电子结构以及光学…查看全部>>
孙志海;黄强;张颖;黄鹏儒;植慧茵;邹勇进;徐芬;孙立贤
桂林电子科技大学材料科学与工程学院, 广西信息材料重点实验室, 广西新能源材料结构与性能协同创新中心, 桂林 541004桂林电子科技大学材料科学与工程学院, 广西信息材料重点实验室, 广西新能源材料结构与性能协同创新中心, 桂林 541004桂林电子科技大学材料科学与工程学院, 广西信息材料重点实验室, 广西新能源材料结构与性能协同创新中心, 桂林 541004桂林电子科技大学材料科学与工程学院, 广西信息材料重点实验室, 广西新能源材料结构与性能协同创新中心, 桂林 541004广西师范大学物理科学与技术学院, 桂林 541004桂林电子科技大学材料科学与工程学院, 广西信息材料重点实验室, 广西新能源材料结构与性能协同创新中心, 桂林 541004桂林电子科技大学材料科学与工程学院, 广西信息材料重点实验室, 广西新能源材料结构与性能协同创新中心, 桂林 541004桂林电子科技大学材料科学与工程学院, 广西信息材料重点实验室, 广西新能源材料结构与性能协同创新中心, 桂林 541004
六方氮化硼碳掺杂电子结构单光子发射
《物理学报》 2021 (3)
金属负载的碳纳米材料表面原子自组装吸附调控及氢溢流机理研究
78-90,13
国家重点研发计划(批准号:2018YFB1502103, 2018YFB1502105)、国家自然科学基金(批准号:51801041, 551671062, 5187011196, 51971068)、广西自然科学基金(批准号: 2017JJB150085)和广西科技计划(批准号: 2018AD19052, AA19182014, AD17195073, AA17202030-1)资助的课题.
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