| 注册
首页|期刊导航|液晶与显示|TFT-LCD四次光刻工艺中的光刻胶剩余量

TFT-LCD四次光刻工艺中的光刻胶剩余量

蒋雷 黄学勇 刘良军 李广圣 王尖 李向峰 慕绍帅 邵博

液晶与显示2021,Vol.36Issue(2):258-264,7.
液晶与显示2021,Vol.36Issue(2):258-264,7.DOI:10.37188/CJLCD.2020-0151

TFT-LCD四次光刻工艺中的光刻胶剩余量

Remain of photoresist in halftone process based on TFT-LCD technology

蒋雷 1黄学勇 1刘良军 1李广圣 1王尖 1李向峰 1慕绍帅 1邵博1

作者信息

  • 1. 成都中电熊猫显示科技有限公司,四川 成都 610200
  • 折叠

摘要

关键词

薄膜晶体管/四次光刻/半光刻技术/光刻胶膜残量/均一性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

蒋雷,黄学勇,刘良军,李广圣,王尖,李向峰,慕绍帅,邵博..TFT-LCD四次光刻工艺中的光刻胶剩余量[J].液晶与显示,2021,36(2):258-264,7.

液晶与显示

OA北大核心CSCDCSTPCD

1007-2780

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文