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SiC MOSFET短路失效与退化机理研究综述及展望

康建龙 辛振 陈建良 王怀 李武华

中国电机工程学报2021，Vol.41Issue(3)：1069-1083,中插25,16.
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中国电机工程学报2021，Vol.41Issue(3)：1069-1083,中插25,16.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.200871

SiC MOSFET短路失效与退化机理研究综述及展望

Review and Prospect of Short-circuit Failure and Degradation Mechanism of SiC MOSFET

康建龙 1辛振 1陈建良 1王怀 2李武华3

作者信息

  • 1. 省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室(河北工业大学),天津市红桥区 300130
  • 2. 丹麦奥尔堡大学能源技术系电子可靠性研究中心,丹麦东奥尔堡 DK-9220
  • 3. 浙江大学电气工程学院,浙江省杭州市 310027
  • 折叠

摘要

关键词

SiCMOSFET/短路故障/失效机理/退化/重复短路应力

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

康建龙,辛振,陈建良,王怀,李武华..SiC MOSFET短路失效与退化机理研究综述及展望[J].中国电机工程学报,2021,41(3):1069-1083,中插25,16.

基金项目

国家自然科学基金(青年项目)(51907048) （青年项目）

河北省自然科学基金绿色通道项目(E2019202345). （E2019202345）

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

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