中国电机工程学报2021，Vol.41Issue(3)：1084-1092,中插26,10.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.200497
基于体效应的SiC MOSFET器件栅极老化监测方法研究
Study of Gate-oxide Degradation Monitoring Method Based on Body Effect in SiC MOSFETs
摘要
关键词
栅极氧化老化/偏置温度不稳定性/体效应/碳化硅(SiC)MOSFET/高温栅偏分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
孟鹤立,邓二平,应晓亮,黄永章..基于体效应的SiC MOSFET器件栅极老化监测方法研究[J].中国电机工程学报,2021,41(3):1084-1092,中插26,10.基金项目
国家自然科学基金项目(52007061) （52007061）
中央高校基本科研业务费专项资金项目(2019MS001). （2019MS001）
