电工技术学报2021，Vol.36Issue(4)：810-819,10.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.191758
高压大电流(4500V/600A)IGBT芯片研制
Development of Large Size IGBT Chip with High Power Capacity of 4500V/600A
刘国友 1黄建伟 2覃荣震 1朱春林3
作者信息
- 1. 新型功率半导体器件国家重点实验室 株洲 412001
- 2. 株洲中车时代电气股份有限公司 株洲 412001
- 3. 株洲中车时代半导体有限公司 株洲 412001
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摘要
关键词
大尺寸/IGBT/芯片/电流容量/均流/压接分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘国友,黄建伟,覃荣震,朱春林..高压大电流(4500V/600A)IGBT芯片研制[J].电工技术学报,2021,36(4):810-819,10.
