高压大电流(4500V/600A)IGBT芯片研制OA北大核心CSCD
Development of Large Size IGBT Chip with High Power Capacity of 4500V/600A
提高绝缘栅双极晶体管(IGBT)单芯片电流容量,对减小封装器件芯片并联数、简化封装结构、改善芯片均流至关重要.该文基于高压、大电流、高可靠性IGBT应用需求,通过高压IGBT芯片坚强元胞设计及其协同控制技术实现了元胞之间的开关同步,通过光刻拼版技术解决大尺寸芯片的工艺制造,通过单芯片压接封装验证了大尺寸芯片设计及其性能,探索出一条大尺寸IGBT芯片设计、制造与验证的技术路径.研究开发了全球第一片42mm×42mm大尺寸高压IGBT芯片,攻克了高压…查看全部>>
刘国友;黄建伟;覃荣震;朱春林
新型功率半导体器件国家重点实验室 株洲 412001株洲中车时代电气股份有限公司 株洲 412001新型功率半导体器件国家重点实验室 株洲 412001株洲中车时代半导体有限公司 株洲 412001
信息技术与安全科学
大尺寸IGBT芯片电流容量均流压接
《电工技术学报》 2021 (4)
810-819,10