ThF4浓度对CeF3-ThF4-LiCl-KCl熔盐中Th电解沉积的影响OA北大核心CSCD
Effect of ThF4 Concentration on Th Electrodeposition in CeF3-ThF4-LiCl-KCl Molten Salt
研究了高ThF4浓度下的CeF3-ThF4-LiCl-KCl熔盐中Th的电化学沉积行为.ThF4的质量分数从3％增加为10％时,Th(Ⅳ)的初始还原电位略微正移(从-1.75 V正移至-1.72 V,vs.Ag/AgCl).熔盐中Th(Ⅳ)浓度的增大会导致其初始还原电位正移,而F浓度的增大则导致其负移.电解沉积时,10％(质量分数,下同)ThF4体系的初始电解速率和阴极沉积量明显高于3％ThF4体系,表明Th(Ⅳ)浓度是影响Th电解速率的重要因素…查看全部>>
王先彬;蒋锋;朱铁建;郑海洋;佘长锋;黄卫;李晴暖
中国科学院上海应用物理研究所,上海201800中国科学院大学,北京100049中国科学院上海应用物理研究所,上海201800中国科学院上海应用物理研究所,上海201800中国科学院上海应用物理研究所,上海201800中国科学院上海应用物理研究所,上海201800中国科学院上海应用物理研究所,上海201800
化学化工
ThF4LiCl-KCl电解沉积浓度
《核化学与放射化学》 2021 (1)
57-63,7
中国科学院战略科技先导专项(XDA02030000)国家自然科学基金资助项目(21601200)中国科学院前沿科学重点研究项目(QYZDY-SSW-JSC016)中国科学院青年创新促进会资助项目(2017307)
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