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单晶硅表面钝化层在低能电子辐照前后的SIMS和XPS分析

杨玉青 雷轶松 向勇军 李刚 熊晓玲 徐建 董文丽

核化学与放射化学2021,Vol.43Issue(1):74-80,7.
核化学与放射化学2021,Vol.43Issue(1):74-80,7.DOI:10.7538/hhx.2020.YX.2019085

单晶硅表面钝化层在低能电子辐照前后的SIMS和XPS分析

SIMS and XPS Analysis of Interfaces in Passivation Layers on C-Silicon Under Low-Energy Electron Radiation

杨玉青 1雷轶松 1向勇军 2李刚 1熊晓玲 1徐建 1董文丽1

作者信息

  • 1. 中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳621900
  • 2. 中国电子科技集团第44研究所,重庆400060
  • 折叠

摘要

关键词

表面钝化/低能电子辐照/SIMS/XPS/β辐伏同位素电池

分类

化学化工

引用本文复制引用

杨玉青,雷轶松,向勇军,李刚,熊晓玲,徐建,董文丽..单晶硅表面钝化层在低能电子辐照前后的SIMS和XPS分析[J].核化学与放射化学,2021,43(1):74-80,7.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(11575161 ()

11605167) ()

核化学与放射化学

OA北大核心CSCDCSTPCD

0253-9950

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