单晶硅表面钝化层在低能电子辐照前后的SIMS和XPS分析OA北大核心CSCD
SIMS and XPS Analysis of Interfaces in Passivation Layers on C-Silicon Under Low-Energy Electron Radiation
为了研究低能电子辐照对单晶硅器件表面钝化材料中产生的化学微结构的变化,在轻掺杂P型单晶硅基底上制作了三种表面钝化膜,分别是单一SiO2钝化膜、SiO2/Si3N4复合钝化膜、硼硅玻璃/Si3N4复合钝化膜,开展了表面钝化单晶硅在最大能量70 keV的加速器电子束下的辐照实验.样品在空气气氛下辐照6 h,用二次离子质谱(SIMS)测试了辐照前后三种表面钝化膜中Si、N、B的纵深变化,同时用Ar离子刻蚀X射线表面光电子能谱(XPS)对Si元素的化学结…查看全部>>
杨玉青;雷轶松;向勇军;李刚;熊晓玲;徐建;董文丽
中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳621900中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳621900中国电子科技集团第44研究所,重庆400060中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳621900中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳621900中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳621900中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳621900
化学化工
表面钝化低能电子辐照SIMSXPSβ辐伏同位素电池
《核化学与放射化学》 2021 (1)
Sr-90/Y-90β能谱对单晶硅NIP器件的辐射损伤及其辐射等效应研究
74-80,7
国家自然科学基金资助项目(1157516111605167)
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