发射率对半导体器件显微红外测温结果的影响OA北大核心CSCD
Influence of Emissivity of Infrared Thermal Results of Semiconductor Device
为了确认半导体器件较低的发射率对显微红外测温结果的影响,采用研制的半导体材料和金属材料靶标进行了一系列验证实验,分析了发射率对显微红外热像仪测温准确度的影响.研制了带有铂电阻结构的GaAs材料靶标和Au材料靶标,用显微红外热像仪对黑体和研制的2种靶标进行了不同温度下的测试,在110℃条件下,黑体、GaAs、Au 3种材料的温度偏差为1.9,3.7,7.9 ℃.测试结果表明,材料发射率越低,测温误差越大,且误差会随着温度的升高而增大.利用显微红外热…查看全部>>
韩伟;刘岩;杜蕾;郑世棋;翟玉卫;梁法国
中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051
计量学发射率半导体器件显微红外热像仪靶标
《计量学报》 2021 (1)
35-40,6