|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|材料科学与工程学报|CuS/ZnS/ITO透明忆阻器的制备及其突触性能

CuS/ZnS/ITO透明忆阻器的制备及其突触性能

陈炜东 骆军 曹鸿涛 梁凌燕 张洪亮 张莉 诸葛飞

材料科学与工程学报2021，Vol.39Issue(1)：30-34,5.
✕
材料科学与工程学报2021，Vol.39Issue(1)：30-34,5.DOI:10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2021.01.005

CuS/ZnS/ITO透明忆阻器的制备及其突触性能

CuS/ZnS/ITO Transparent Memristor and Its Synaptic Behavior

陈炜东 1骆军 2曹鸿涛 1梁凌燕 2张洪亮 2张莉 2诸葛飞2

作者信息

  • 1. 上海大学 材料科学与工程学院,上海 200072
  • 2. 中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江 宁波 315201
  • 折叠

摘要

关键词

忆阻器/透明/突触/CuS

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陈炜东,骆军,曹鸿涛,梁凌燕,张洪亮,张莉,诸葛飞..CuS/ZnS/ITO透明忆阻器的制备及其突触性能[J].材料科学与工程学报,2021,39(1):30-34,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(61674156,61874125,51702336),浙江省自然科学基金资助项目(LD19E020001),宁波市自然科学基金资助项目(2018A610019) （61674156,61874125,51702336）

材料科学与工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1673-2812

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文