CuS/ZnS/ITO透明忆阻器的制备及其突触性能OA北大核心CSCDCSTPCD
CuS/ZnS/ITO Transparent Memristor and Its Synaptic Behavior
忆阻器突触可用于构建神经形态系统,进行类脑计算,而透明突触器件则有利于光电协同调控.本研究首次采用CuS薄膜作为电极,构筑了CuS/ZnS/ITO透明忆阻器,器件表现出稳定的忆阻性能与良好的均一性,在可见光范围内透过率高达82％.通过与Cu制电极的器件比较,采用CuS制电极可以抑制Cu离子向ZnS介质层中大量迁移,有利于提高器件稳定性.在此基础上,通过施加不同形式的电脉冲信号,可以调节忆阻器件的阻态,实现突触可塑性模拟.CuS/ZnS/ITO器件…查看全部>>
陈炜东;骆军;曹鸿涛;梁凌燕;张洪亮;张莉;诸葛飞
上海大学 材料科学与工程学院,上海 200072中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江 宁波 315201上海大学 材料科学与工程学院,上海 200072中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江 宁波 315201中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江 宁波 315201中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江 宁波 315201中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江 宁波 315201
信息技术与安全科学
忆阻器透明突触CuS
《材料科学与工程学报》 2021 (1)
30-34,5
国家自然科学基金资助项目(61674156,61874125,51702336),浙江省自然科学基金资助项目(LD19E020001),宁波市自然科学基金资助项目(2018A610019)
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