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体Si和SOI工艺SRAM芯片电磁敏感度的温度效应

吴旭景 王蒙军 吴建飞 李彬鸿 郝宁 高见头 李宏 张红丽

电波科学学报2021，Vol.36Issue(1)：101-108,8.
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电波科学学报2021，Vol.36Issue(1)：101-108,8.DOI:10.13443/j.cjors.2019081901

体Si和SOI工艺SRAM芯片电磁敏感度的温度效应

Temperature effect on electromagnetic sensitivity of SRAM chips in bulk Si and SOI technologies

吴旭景 1王蒙军 1吴建飞 2李彬鸿 3郝宁 4高见头 4李宏 4张红丽2

作者信息

  • 1. 河北工业大学电子信息工程学院,天津 300401
  • 2. 天津先进技术研究院,天津 300450
  • 3. 国防科技大学电子科学学院,长沙 410073
  • 4. 中国科学院微电子研究所,北京 100029
  • 折叠

摘要

关键词

体硅/绝缘体上硅/静态随机存储器/直接功率注入/电磁敏感度/温度效应

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

吴旭景,王蒙军,吴建飞,李彬鸿,郝宁,高见头,李宏,张红丽..体Si和SOI工艺SRAM芯片电磁敏感度的温度效应[J].电波科学学报,2021,36(1):101-108,8.

基金项目

国家自然科学基金(61604176) （61604176）

天津优秀青年学者人才发展专项规划(TJTZJH-QNBJRC-2-22) （TJTZJH-QNBJRC-2-22）

电波科学学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1005-0388

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