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MRAM的辐射效应分析及加固方法简述

施辉 李明华 贺琪 张海良 宋思德 曹利超 王印权 刘国柱 顾祥 吴建伟 洪根深

航天器环境工程2021,Vol.38Issue(1):106-114,9.
航天器环境工程2021,Vol.38Issue(1):106-114,9.DOI:10.12126/see.2021.01.017

MRAM的辐射效应分析及加固方法简述

Analysis of the effects of radiation on MRAMs and corresponding hardening techniques

施辉 1李明华 2贺琪 1张海良 1宋思德 1曹利超 1王印权 1刘国柱 1顾祥 1吴建伟 1洪根深1

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第五十八研究所,无锡 214072
  • 2. 北京科技大学 材料科学与工程学院,北京 100083
  • 折叠

摘要

关键词

磁随机存取存储器/磁性隧道结/辐射效应/抗辐射加固技术

分类

数理科学

引用本文复制引用

施辉,李明华,贺琪,张海良,宋思德,曹利超,王印权,刘国柱,顾祥,吴建伟,洪根深..MRAM的辐射效应分析及加固方法简述[J].航天器环境工程,2021,38(1):106-114,9.

基金项目

国家自然科学基金项目(编号:51371025) (编号:51371025)

江苏省科技计划(资金)项目(编号:SBE2019010119) (资金)

北京市自然科学基金项目(编号:2182037) (编号:2182037)

航天器环境工程

OA北大核心CSTPCD

1673-1379

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