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Geant4模拟质子入射InP产生的位移损伤

白雨蓉 贺朝会 谢飞 李永宏 臧航

太赫兹科学与电子信息学报2021,Vol.19Issue(1):176-180,5.
太赫兹科学与电子信息学报2021,Vol.19Issue(1):176-180,5.DOI:10.11805/TKYDA2019383

Geant4模拟质子入射InP产生的位移损伤

Geant4 simulation of displacement damage induced by proton irradiation in InP

白雨蓉 1贺朝会 1谢飞 1李永宏 1臧航1

作者信息

  • 1. 西安交通大学 核科学与技术学院,陕西 西安 710049
  • 折叠

摘要

关键词

非电离能量损失模型/Geant4/空间质子辐射/磷化铟

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

白雨蓉,贺朝会,谢飞,李永宏,臧航..Geant4模拟质子入射InP产生的位移损伤[J].太赫兹科学与电子信息学报,2021,19(1):176-180,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(11775167) (11775167)

太赫兹科学与电子信息学报

OACSTPCD

2095-4980

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