| 注册
首页|期刊导航|高电压技术|基于漂移扩散模型方程的IGCT电路模型

基于漂移扩散模型方程的IGCT电路模型

周亚星 孔力 王佳蕊

高电压技术2021,Vol.47Issue(1):118-128,11.
高电压技术2021,Vol.47Issue(1):118-128,11.DOI:10.13336/j.1003-6520.hve.20200302002

基于漂移扩散模型方程的IGCT电路模型

IGCT Circuit Model Based on Drift-diffusion Model Equations

周亚星 1孔力 2王佳蕊1

作者信息

  • 1. 中国科学院大学,北京100049
  • 2. 中国科学院电工研究所,北京100190
  • 折叠

摘要

关键词

集成门极换流晶闸管/电路模型/双极扩散方程/漂移扩散模型/介电弛豫时间/德拜长度

引用本文复制引用

周亚星,孔力,王佳蕊..基于漂移扩散模型方程的IGCT电路模型[J].高电压技术,2021,47(1):118-128,11.

基金项目

中国科学院前沿科学重点研究项目(QYZDY-SSW-JSC025). (QYZDY-SSW-JSC025)

高电压技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1003-6520

访问量7
|
下载量0
段落导航相关论文