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SiC MOSFET功率器件特性参数的提取与拟合

曾伊浓易映萍董晓帅

高电压技术2021，Vol.47Issue(1)：138-149,12.

高电压技术2021，Vol.47Issue(1)：138-149,12.DOI:10.13336/j.1003-6520.hve.20200310007

Extraction and Fitting of Characteristic Parameters of SiC MOSFET Power Devices

曾伊浓 ¹易映萍 ¹董晓帅²

作者信息

碳化硅/MOSFET/寄生参数提取/温度特性/贝叶斯正则化/人工神经网络

曾伊浓,易映萍,董晓帅..SiC MOSFET功率器件特性参数的提取与拟合[J].高电压技术,2021,47(1):138-149,12.

国家重点研发计划(2018YFB0106300). （2018YFB0106300）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1003-6520

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