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氧化钽阻变存储器的初始化电压调制OACSTPCD

Initialization voltage modulation of tantalum oxide resistive random access memory

中文摘要

采用物理气相沉积和等离子体氧化工艺制备氧化钽阻变薄膜,利用X射线光电子能谱分析技术对阻变薄膜进行表征.系统研究等离子体氧化时间和阻挡层厚度对初始化电压的影响.研究表明,器件初始化电压随氧化时间增加而增大,同时增加阻挡层厚度可有效降低初始化电压.基于40 nm互补金属氧化物半导体量产工艺平台,成功地在40 nm晶体管后段集成了阻变单元,制备了氧化钽阻变存储器,其初始化电压为3.3 V,置位/复位电压在1.8 V以内.

官郭沁;邹荣;左青云;田盼;吕杭炳;田志;王奇伟;曾敏;杨志

上海交通大学 电子信息与电气工程学院 微纳电子学系 薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海 200240上海华力微电子有限公司,上海 201314上海集成电路研发中心有限公司,上海 201210上海集成电路研发中心有限公司,上海 201210中国科学院微电子研究所,北京 100029上海华力微电子有限公司,上海 201314上海华力微电子有限公司,上海 201314上海交通大学 电子信息与电气工程学院 微纳电子学系 薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海 200240上海交通大学 电子信息与电气工程学院 微纳电子学系 薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海 200240

信息技术与安全科学

氧化钽阻变存储器电压调制初始化电压阻变单元置位/复位电压

《现代电子技术》 2021 (6)

1-5,5

国家重点研发计划(2018YFB0407500)

10.16652/j.issn.1004-373x.2021.06.001

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