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氧化钽阻变存储器的初始化电压调制

官郭沁 邹荣 左青云 田盼 吕杭炳 田志 王奇伟 曾敏 杨志

现代电子技术2021，Vol.44Issue(6)：1-5,5.
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现代电子技术2021，Vol.44Issue(6)：1-5,5.DOI:10.16652/j.issn.1004-373x.2021.06.001

氧化钽阻变存储器的初始化电压调制

Initialization voltage modulation of tantalum oxide resistive random access memory

官郭沁 1邹荣 2左青云 3田盼 3吕杭炳 4田志 2王奇伟 2曾敏 1杨志1

作者信息

  • 1. 上海交通大学 电子信息与电气工程学院 微纳电子学系 薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海 200240
  • 2. 上海华力微电子有限公司,上海 201314
  • 3. 上海集成电路研发中心有限公司,上海 201210
  • 4. 中国科学院微电子研究所,北京 100029
  • 折叠

摘要

关键词

氧化钽/阻变存储器/电压调制/初始化电压/阻变单元/置位/复位电压

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

官郭沁,邹荣,左青云,田盼,吕杭炳,田志,王奇伟,曾敏,杨志..氧化钽阻变存储器的初始化电压调制[J].现代电子技术,2021,44(6):1-5,5.

基金项目

国家重点研发计划(2018YFB0407500) （2018YFB0407500）

现代电子技术

OACSTPCD

1004-373X

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