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N型掺杂ZnSe/BeTeⅡ型量子阱中空间间接带电激子跃迁发光的直接证据

屈尚达 冀子武

人工晶体学报2021,Vol.50Issue(2):290-295,6.
人工晶体学报2021,Vol.50Issue(2):290-295,6.

N型掺杂ZnSe/BeTeⅡ型量子阱中空间间接带电激子跃迁发光的直接证据

Direct Evidence of Spatially Indirect Charged Exciton Transition Photoluminescence in N-doped ZnSe/BeTe Type-Ⅱ Quantum Wells

屈尚达 1冀子武1

作者信息

  • 1. 山东大学微电子学院,济南 250100
  • 折叠

摘要

关键词

光致发光/带电激子/量子阱/电场/N型掺杂ZnSe/BeTe/线性偏振度

分类

数理科学

引用本文复制引用

屈尚达,冀子武..N型掺杂ZnSe/BeTeⅡ型量子阱中空间间接带电激子跃迁发光的直接证据[J].人工晶体学报,2021,50(2):290-295,6.

基金项目

国家自然科学基金(51672163,51872167) (51672163,51872167)

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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