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基于Hefner模型的SPT+型IGBT改进通态数学模型

孙志宇 魏晓光 赵志斌 周万迪

电子学报2021，Vol.49Issue(3)：492-499,8.
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电子学报2021，Vol.49Issue(3)：492-499,8.DOI:10.12263/DZXB.20200117

基于Hefner模型的SPT+型IGBT改进通态数学模型

An I mproved On-State Analytical Model for the SPT +IGBT Based on Hefner Model

孙志宇 1魏晓光 2赵志斌 1周万迪2

作者信息

  • 1. 华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室,北京 102206
  • 2. 全球能源互联网研究院有限公司,北京 102209
  • 折叠

摘要

关键词

绝缘栅双极型晶体管/SPT+/载流子存储层/通态数学模型

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

孙志宇,魏晓光,赵志斌,周万迪..基于Hefner模型的SPT+型IGBT改进通态数学模型[J].电子学报,2021,49(3):492-499,8.

基金项目

国家自然科学基金委员会-国家电网公司智能电网联合基金资助(No.U1766219) （No.U1766219）

电子学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0372-2112

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