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基于SiC MOSFET的单相三电平变换器设计

陈晓 赵亚东 张瑜

电源学报2021,Vol.19Issue(2):57-65,9.
电源学报2021,Vol.19Issue(2):57-65,9.DOI:10.13234/j.issn.2095-2805.2021.2.57

基于SiC MOSFET的单相三电平变换器设计

Design of Single-phase Three-level Converter Based on SiC MOSFET

陈晓 1赵亚东 1张瑜1

作者信息

  • 1. 安阳工学院机械工程学院,安阳 455000
  • 折叠

摘要

关键词

单相三电平变换器/碳化硅器件/效率/开关损耗

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陈晓,赵亚东,张瑜..基于SiC MOSFET的单相三电平变换器设计[J].电源学报,2021,19(2):57-65,9.

基金项目

2019年度河南省高等学校重点科研资助项目(19 A460010) (19 A460010)

安阳市先进航空材料与加工技术重点实验室资助项目 ()

2019年度安阳工学院校科研培育基金项目(YPY2019009) (YPY2019009)

电源学报

OA北大核心CSCD

2095-2805

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