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宽周期掩膜法HVPE侧向外延自支撑GaN的研究

陈王义博 徐俞 曹冰 徐科

人工晶体学报2021，Vol.50Issue(3)：416-420,5.
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人工晶体学报2021，Vol.50Issue(3)：416-420,5.

宽周期掩膜法HVPE侧向外延自支撑GaN的研究

Epitaxial Laterally Overgrown Free-Standing GaN through HVPE by Wide-Period Mask Method

陈王义博 1徐俞 2曹冰 3徐科1

作者信息

  • 1. 苏州大学光电科学与工程学院,苏州纳米科技协同创新中心,苏州 215006
  • 2. 江苏省先进光学制造技术重点实验室和教育部现代光学技术重点实验室,苏州 215006
  • 3. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123
  • 折叠

摘要

关键词

自支撑GaN/侧向外延/氢化物气相外延/宽周期掩膜法/半导体

分类

数理科学

引用本文复制引用

陈王义博,徐俞,曹冰,徐科..宽周期掩膜法HVPE侧向外延自支撑GaN的研究[J].人工晶体学报,2021,50(3):416-420,5.

基金项目

国家自然科学基金重点项目(61734008) （61734008）

国家重点研发计划(2017YFB0404100) （2017YFB0404100）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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