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n-In0.35Ga0.65N/p-Si异质结的制备及其电学性能研究

王婷赵红莉郭世伟姚娟李爽符跃春沈晓明何欢

人工晶体学报2021，Vol.50Issue(3)：484-490,7.

Preparation and Electrical Properties of n-In0. 35Ga0. 65N / p-Si Heterojunction

王婷 ¹赵红莉 ¹郭世伟 ¹姚娟 ¹李爽 ¹符跃春 ¹沈晓明 ¹何欢¹

作者信息

1. 广西大学资源环境与材料学院,有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室,广西有色金属及特色材料加工重点实验室,广西生态型铝产业协同创新中心,南宁 530004
折叠

脉冲激光沉积/n-In0.35Ga0.65N/p-Si异质结/InGaN薄膜/整流特性/半导体

信息技术与安全科学

王婷,赵红莉,郭世伟,姚娟,李爽,符跃春,沈晓明,何欢..n-In0.35Ga0.65N/p-Si异质结的制备及其电学性能研究[J].人工晶体学报,2021,50(3):484-490,7.

国家自然科学基金(61474030) （61474030）

广西自然科学基金(2015GXNSFAA139265) （2015GXNSFAA139265）

中国科学院重点实验室开放基金(15ZS06) （15ZS06）

广西科学研究与技术开发科技攻关计划(1598008-15) （1598008-15）

南宁市科学研究与技术开发科技攻关计划(20151268) （20151268）

OA北大核心CSTPCD

ISSN：1000-985X

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