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大电流下SiC MOSFET模块的暂态温度特性研究

李占涛 陆海峰

电气传动2021,Vol.51Issue(8):60-64,5.
电气传动2021,Vol.51Issue(8):60-64,5.DOI:10.19457/j.1001-2095.dqcd20957

大电流下SiC MOSFET模块的暂态温度特性研究

Research on Temperature Dynamic Characteristics of SiC MOSFET Module with High Current

李占涛 1陆海峰1

作者信息

  • 1. 清华大学电机系,北京 100084
  • 折叠

摘要

关键词

碳化硅(SiC)/金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)/温度特性/模块/大电流

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李占涛,陆海峰..大电流下SiC MOSFET模块的暂态温度特性研究[J].电气传动,2021,51(8):60-64,5.

基金项目

国家重点研发计划(2017YFB0102300) (2017YFB0102300)

电气传动

OACSTPCD

1001-2095

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