硅酸盐学报2021，Vol.49Issue(4)：736-742,7.DOI:10.14062/j.issn.0454-5648.20200508
无微管缺陷六英寸SiC单晶的制备
Growth of Six Inches SiC Single Crystals Without Micropipe Defect
摘要
关键词
微管缺陷/碳化硅单晶/微管闭合分类
通用工业技术引用本文复制引用
张福生,杨昆,刘新辉,路亚娟,牛晓龙,尚远航,李婷婷..无微管缺陷六英寸SiC单晶的制备[J].硅酸盐学报,2021,49(4):736-742,7.基金项目
河北省科技计划(19941022G) （19941022G）
河北省重点研发计划(19211106D)资助. （19211106D）
