红外技术2021，Vol.43Issue(4)：301-311,11.
MBE生长InAs/GaSbⅡ类超晶格材料的界面控制方法分析
Analysis of Interface Control Methods for InAs/GaSb Type-Ⅱ Superlattice Materials Grown by MBE
任洋 1李东升 1李俊斌 1覃钢 1杨晋 1李艳辉 1周旭昌 1杨春章 1常超 1孔金丞1
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摘要
关键词
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格/InSb-like界面/GaAs-like界面/生长中断法/MEE分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
任洋,李东升,李俊斌,覃钢,杨晋,李艳辉,周旭昌,杨春章,常超,孔金丞..MBE生长InAs/GaSbⅡ类超晶格材料的界面控制方法分析[J].红外技术,2021,43(4):301-311,11.
