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Mg2Si浓度对Mg2Si/Si异质结光电探测器性能的影响

沈文 吴九九 高云 冀慎统 陈德良 余宏

数字技术与应用2021,Vol.39Issue(3):197-199,3.
数字技术与应用2021,Vol.39Issue(3):197-199,3.DOI:10.19695/j.cnki.cn12-1369.2021.03.63

Mg2Si浓度对Mg2Si/Si异质结光电探测器性能的影响

Effect of Mg2Si Concentration on the Performance of Mg2Si/Si Heterojunction Photodetector

沈文 1吴九九 1高云 1冀慎统 1陈德良 1余宏1

作者信息

  • 1. 贵州师范学院物理与电子科学学院,贵州贵阳 550018
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摘要

关键词

Silvaco TCAD/Mg2Si/Si异质结/光电探测器

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

沈文,吴九九,高云,冀慎统,陈德良,余宏..Mg2Si浓度对Mg2Si/Si异质结光电探测器性能的影响[J].数字技术与应用,2021,39(3):197-199,3.

基金项目

(1)2020年国家级大学生创新创业训练计划项目,掺杂浓度对Mg2Si/Si异质结光电探测器性能影响的研究(202014223031) (1)

(2)贵州科技厅贵州省科学技术基金项目,Graphene/Mg2Si/Si异质结光电探测器仿真设计及性能研究,黔科合基础[2020]1Y272 (2)

(3)贵州省教育厅青年科技人才成长项目,Mg2Si红外探测器芯片结构设计,黔教合KY字[2018]256 (3)

(4)贵州省教育厅科技拔尖人才支持项目黔教合KY字[2018]058 (4)

(5)国家科技部和国家自然科学基金奖励补助项目黔科合平台人才[2018]5778-01 (5)

(6)贵州师范学院一流学科项目(2019YLXKC05) (6)

数字技术与应用

1007-9416

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