PDSOI NMOS器件激光模拟光电流效应

任尚清王博博蒋春生钟乐孙鹏解磊

太赫兹科学与电子信息学报2021，Vol.19Issue(2)：352-355,4.

太赫兹科学与电子信息学报2021，Vol.19Issue(2)：352-355,4.DOI:10.11805/TKYDA2019450

Photocurrent effect of PDSOI NMOS device by laser simulation

任尚清 ¹王博博 ²蒋春生 ¹钟乐 ²孙鹏 ¹解磊²

作者信息

N型金属氧化物半导体器件/部分耗尽型绝缘体上硅/激光模拟/光电流

信息技术与安全科学

任尚清,王博博,蒋春生,钟乐,孙鹏,解磊..PDSOI NMOS器件激光模拟光电流效应[J].太赫兹科学与电子信息学报,2021,19(2):352-355,4.

国家自然科学基金资助项目(619041164) （619041164）

OACSTPCD

ISSN：2095-4980

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