工程科学学报2021，Vol.43Issue(5)：594-602,9.
SiC半导体不同晶面氧化机理及动力学的研究进展
Research progress on the oxidation mechanism and kinetics of a SiC semiconductor with different crystal surfaces
摘要
关键词
SiC/金属氧化物半导体场效应晶体管/Deal-Grove模型/晶面/氧化分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
赵春阳,王恩会,侯新梅..SiC半导体不同晶面氧化机理及动力学的研究进展[J].工程科学学报,2021,43(5):594-602,9.基金项目
国家自然科学基金资助项目(51904021,51974021) （51904021,51974021）
中央高校基本科研业务费资助项目(FRF-TP-19-004B2Z) （FRF-TP-19-004B2Z）
