电化学2021，Vol.27Issue(1)：26-34,9.DOI:10.13208/j.electrochem.200610
3D NAND制程中选择性刻蚀工艺的SiO2回沾问题研究进展
Research Progress of SiO2 Regrowth during Selective Etching Process in 3D NAND Manufacture Procedure
周紫晗 1吴蕴雯 1李明 1王溯2
作者信息
- 1. 上海交通大学材料科学与工程学院,上海200240
- 2. 上海新阳半导体材料股份有限公司,上海201616
- 折叠
摘要
关键词
半导体存储器/3D NAND/刻蚀/氮化硅/二氧化硅/硅酸引用本文复制引用
周紫晗,吴蕴雯,李明,王溯..3D NAND制程中选择性刻蚀工艺的SiO2回沾问题研究进展[J].电化学,2021,27(1):26-34,9.
