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硫粉气化温度对制备WS2薄膜的影响

陶雪华 夏述平 崔宇 邱云帆 熊礼威

武汉工程大学学报2021,Vol.43Issue(2):187-191,5.
武汉工程大学学报2021,Vol.43Issue(2):187-191,5.DOI:10.19843/j.cnki.CN42-1779/TQ.202011023

硫粉气化温度对制备WS2薄膜的影响

Effect of Gasification Temperature of Sulfur Powder on Preparation of Tungsten Disulfide Thin Films

陶雪华 1夏述平 1崔宇 1邱云帆 1熊礼威1

作者信息

  • 1. 等离子体化学与新材料湖北省重点实验室(武汉工程大学),湖北 武汉 430205
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摘要

关键词

WS2薄膜/表面形貌/熔融盐/化学气相沉积/气化温度

分类

数理科学

引用本文复制引用

陶雪华,夏述平,崔宇,邱云帆,熊礼威..硫粉气化温度对制备WS2薄膜的影响[J].武汉工程大学学报,2021,43(2):187-191,5.

基金项目

湖北省教育厅重点项目(D20191503) (D20191503)

武汉工程大学科学基金(K201801) (K201801)

武汉工程大学第十二届研究生教育创新基金(CX2020136) (CX2020136)

武汉工程大学学报

1674-2869

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