大功率变流技术Issue(2)：61-66,6.DOI:10.13889/j.issn.2096-5427.2021.02.010
SiC-MOSFET开关模块RC缓冲吸收电路的参数优化设计
Optimized Parameter Design of RC Snubber Circuit for SiC-MOSFET Module
施洪亮 1罗德伟 1王佳佳 1谭渺 1杨奎 1周帅 1饶沛南1
作者信息
- 1. 株洲中车时代电气股份有限公司,湖南 株洲 412001
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摘要
关键词
SiC/RC缓冲吸收/双脉冲/寄生参数/电压尖峰/优化设计分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
施洪亮,罗德伟,王佳佳,谭渺,杨奎,周帅,饶沛南..SiC-MOSFET开关模块RC缓冲吸收电路的参数优化设计[J].大功率变流技术,2021,(2):61-66,6.
