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半绝缘碳化硅单晶衬底的研究进展

彭燕 陈秀芳 谢雪健 徐现刚 胡小波 杨祥龙 于国建 王垚浩

人工晶体学报2021，Vol.50Issue(4)：619-628,10.
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人工晶体学报2021，Vol.50Issue(4)：619-628,10.

半绝缘碳化硅单晶衬底的研究进展

Research Progress of Semi-Insulating Silicon Carbide Single Crystal Substrate

彭燕 1陈秀芳 2谢雪健 1徐现刚 2胡小波 1杨祥龙 2于国建 1王垚浩2

作者信息

  • 1. 山东大学,晶体材料国家重点实验室,新一代半导体材料研究院,济南 250100
  • 2. 广州南砂晶圆半导体技术有限公司,广州 511458
  • 折叠

摘要

关键词

SiC单晶衬底/微管密度/6英寸/半绝缘

分类

化学化工

引用本文复制引用

彭燕,陈秀芳,谢雪健,徐现刚,胡小波,杨祥龙,于国建,王垚浩..半绝缘碳化硅单晶衬底的研究进展[J].人工晶体学报,2021,50(4):619-628,10.

基金项目

广东省重点领域研发计划(2019B010126001) （2019B010126001）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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