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InGaN/GaN微米阵列结构的生长及发光性能研究

张利繁 贾伟 董海亮 李天保 贾志刚 许并社

人工晶体学报2021，Vol.50Issue(4)：776-782,7.
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人工晶体学报2021，Vol.50Issue(4)：776-782,7.

InGaN/GaN微米阵列结构的生长及发光性能研究

Growth and Luminescence Properties of InGaN/GaN Micro-Array

张利繁 1贾伟 1董海亮 1李天保 2贾志刚 1许并社1

作者信息

  • 1. 太原理工大学,新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原 030024
  • 2. 太原理工大学材料科学与工程学院,太原 030024
  • 折叠

摘要

关键词

InGaN/GaN/微米阵列/形貌调控/发光性能/多彩发射/MOCVD

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

张利繁,贾伟,董海亮,李天保,贾志刚,许并社..InGaN/GaN微米阵列结构的生长及发光性能研究[J].人工晶体学报,2021,50(4):776-782,7.

基金项目

国家自然科学基金(61904120,21972103) （61904120,21972103）

山西省重点研发计划(201903D111009) （201903D111009）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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