天津工业大学学报2021，Vol.40Issue(2)：52-63,12.DOI:10.3969/j.issn.1671-024x.2021.02.008
基于GaN全桥LLC谐振变换器交错并联系统的损耗分析
Loss analysis based on staggered parallel system of GaN full bridge LLC resonant converter
摘要
关键词
单体增强型GaN HEMT/交错并联全桥LLC谐振变换器/寄生参数/单移相控制/三移相控制/损耗分析分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
高圣伟,贺琛,刘赫,董晨名..基于GaN全桥LLC谐振变换器交错并联系统的损耗分析[J].天津工业大学学报,2021,40(2):52-63,12.基金项目
国家自然科学基金资助项目(51807139) （51807139）
天津市科技计划资助项目(20YDTPJC01520) （20YDTPJC01520）
天津市研究生科研创新项目(2019YJSS026) （2019YJSS026）
