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一种具有N埋层的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

张飞林茂毛鸿凯苏芳文隋金池

电子科技2021，Vol.34Issue(5)：61-65,5.

电子科技2021，Vol.34Issue(5)：61-65,5.DOI:10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2021.05.011

An AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistor with N-Buried Layer

张飞 ¹林茂 ¹毛鸿凯 ¹苏芳文 ¹隋金池¹

作者信息

GaN/HEMT/击穿电压/导通电阻/N埋层/电场调制/TCAD仿真/BFOM/2DEG

信息技术与安全科学

张飞,林茂,毛鸿凯,苏芳文,隋金池..一种具有N埋层的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管[J].电子科技,2021,34(5):61-65,5.

浙江省杰出青年基金(LR17F040001) （LR17F040001）

ISSN：1007-7820

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