| 注册
首页|期刊导航|红外与毫米波学报|高温热退火对多层P-on-N结构HgCdTe的界面影响

高温热退火对多层P-on-N结构HgCdTe的界面影响

沈川 陈路 卜顺栋 刘仰融 何力

红外与毫米波学报2021,Vol.40Issue(2):156-160,5.
红外与毫米波学报2021,Vol.40Issue(2):156-160,5.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2021.02.003

高温热退火对多层P-on-N结构HgCdTe的界面影响

Effect of thermal annealing on the interface changes of multi-layer HgCdTe P-on-N materials grown by MBE

沈川 1陈路 1卜顺栋 1刘仰融 1何力1

作者信息

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所红外材料与器件重点实验室,上海200083
  • 折叠

摘要

关键词

碲镉汞/P-on-N/界面结构/热退火/光电流

分类

数理科学

引用本文复制引用

沈川,陈路,卜顺栋,刘仰融,何力..高温热退火对多层P-on-N结构HgCdTe的界面影响[J].红外与毫米波学报,2021,40(2):156-160,5.

基金项目

中国科学院青年创新促进会项目 ()

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1001-9014

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文