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高倍增低暗电流AlInAsSb四元数字合金雪崩光电二极管

郑大农 苏向斌 徐应强 牛智川

红外与毫米波学报2021,Vol.40Issue(2):172-177,6.
红外与毫米波学报2021,Vol.40Issue(2):172-177,6.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2021.02.006

高倍增低暗电流AlInAsSb四元数字合金雪崩光电二极管

High gain and low dark current AlInAsSb avalanche photodiodes grown by quaternary digital alloys

郑大农 1苏向斌 2徐应强 1牛智川2

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京100083
  • 2. 中国科学院大学材料学院与光电技术学院,北京101408
  • 折叠

摘要

关键词

雪崩光电二级管/分子束外延/AlInAsSb/四元数字合金

分类

数理科学

引用本文复制引用

郑大农,苏向斌,徐应强,牛智川..高倍增低暗电流AlInAsSb四元数字合金雪崩光电二极管[J].红外与毫米波学报,2021,40(2):172-177,6.

基金项目

国家基础研究计划(2018YFA0209104),国家自然科学基金(61790582) (2018YFA0209104)

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1001-9014

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