深圳大学学报（理工版）2021，Vol.38Issue(3)：227-231,5.DOI:10.3724/SP.J.1249.2021.03227
肖特基型p-GaN栅极电致发光研究
Electroluminescence from a Schottky-type p-GaN gate structure
摘要
关键词
光学工程/氮化镓/功率电子器件/高电子迁移率场效应管/常关型/栅极工程/电致发光分类
数理科学引用本文复制引用
邱然,刘禹涵,李百奎..肖特基型p-GaN栅极电致发光研究[J].深圳大学学报（理工版）,2021,38(3):227-231,5.基金项目
国家自然科学基金资助项目(61604098) （61604098）
深圳大学科研启动基金资助项目(860-000002110207) （860-000002110207）
